本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
1、使用高效率sic(silicon?carbide，碳化硅)的功率模塊的開發(fā)正在進行中，但這種功率模塊與igbt(insulated?gate?bipolar?transistor，絕緣柵雙極晶體管)相比，無法增大芯片尺寸，因此通常將芯片進行并聯(lián)安裝。伴隨著這種芯片并聯(lián)安裝的實用化，同時也要求抑制芯片間的電流不平衡，以及用于抑制發(fā)熱量的冷卻結(jié)構(gòu)的小型化。
2、例如，下述專利文獻1中公開了一種結(jié)構(gòu)，在工作電壓高的電流轉(zhuǎn)換裝置中，通過縮小與連接部件不連接的板狀導(dǎo)體的孔的直徑或板狀導(dǎo)體的尺寸，具有低電感化的層疊導(dǎo)體的構(gòu)造，從而使芯片間的漏極和源極電感的合計值對齊。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻
4、專利文獻
5、專利文獻1：日本專利第3550970號
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的問題
2、在專利文獻1的結(jié)構(gòu)中，僅上臂的源極電感相等，而在下臂側(cè)，由于芯片間的源極電感存在差異，在sic的高速開關(guān)條件下，會發(fā)生因電流不平衡而導(dǎo)致?lián)p耗增大。鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種減小了電感差、并抑制了電流不平衡的電流轉(zhuǎn)換裝置。
3、解決問題的技術(shù)手段
4、功率半導(dǎo)體裝置具備：電并聯(lián)連接的多個上臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件和多個下臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件；與所述上臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的高電位側(cè)電極連接的第一導(dǎo)體以及與所述上臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的低電位側(cè)電極連接的第二導(dǎo)體；以及與所述下臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的高電位側(cè)電極連接的第三導(dǎo)體以及與所述下臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的低電位側(cè)電極連接的第四導(dǎo)體，在所述第二導(dǎo)體中，上臂側(cè)匯流部匯流從所述上臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的所述低電位側(cè)電極流出的電流，該上臂側(cè)匯流部形成在距所述多個上臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的距離分別相等的位置，在所述第四導(dǎo)體中，下臂側(cè)匯流部匯流從所述下臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的所述低電位側(cè)電極流出的電流，該下臂側(cè)匯流部形成在距所述多個下臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的距離分別相等的位置，所述上臂側(cè)匯流部和所述下臂側(cè)匯流部鄰接于所述多個上臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的配置列與所述多個下臂側(cè)功率半導(dǎo)體元件的配置列之間的區(qū)域而形成。
5、發(fā)明的效果
6、能夠提供一種減小了電感差并且抑制了電流不平衡的電流轉(zhuǎn)換裝置。
1.一種功率半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置，其特征在于，