本公開涉及電池保護(hù)芯片設(shè)計的，具體涉及一種防反接電源芯片及其保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
1、隨著可拆卸電池的行業(yè)環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的逐漸推廣，用戶在安裝電池時有可能存在電池反接的失誤操作。
2、目前來說，由于電池會作為電源直接為電源芯片供電，因此，當(dāng)電池反接時，電源芯片存在較高的燒毀風(fēng)險。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開的目的在于提供一種電源芯片的保護(hù)電路及電源芯片，用于解決現(xiàn)有技術(shù)在電池反接時，存在的電源芯片的燒毀風(fēng)險高的技術(shù)問題。
2、第一方面，本發(fā)明實施例提供一種防反接電源芯片，其包括：
3、用于與電芯的正極相連的正電源端；
4、用于與電芯的負(fù)極相連的外接負(fù)電源端；
5、內(nèi)置負(fù)電源端；
6、連接于所述外接負(fù)電源端和所述內(nèi)置負(fù)電源端之間的防反接保護(hù)開關(guān)，其控制端與所述正電源端相連；
7、連接于所述正電源端和所述內(nèi)置負(fù)電源端之間的控制組件，其包括一個控制輸出端；
8、一個功率開關(guān)，其一個導(dǎo)通連接端與所述外接負(fù)電源端相連，其控制端與所述控制組件的控制輸出端相連，
9、在所述電芯與所述防反接電源芯片反接時，所述防反接保護(hù)開關(guān)斷開，在所述電芯與所述防反接電源芯片正接時，所述防反接保護(hù)開關(guān)導(dǎo)通。
10、在一個實施例中，所述防反接保護(hù)開關(guān)為mos晶體管mn1，所述mos晶體管mn1的一個導(dǎo)通連接端與所述內(nèi)置負(fù)電源端相連，mos晶體管mn1的另一個導(dǎo)通連接端與所述外接負(fù)電源端相連，所述mos晶體管mn1的柵極作為所述防反接保護(hù)開關(guān)的控制端與所述正電源端相連，所述mos晶體管mn1的襯底與所述內(nèi)置負(fù)電源端相連；
11、所述功率開關(guān)為mos晶體管mn_p，所述mos晶體管mn_p的一個導(dǎo)通連接端與所述外接負(fù)電源端相連，所述mos晶體管mn_p的柵極作為控制端與所述控制組件的輸出端相連。
12、在一個實施例中，其還包括：第二功率開關(guān)，其中所述一個功率開關(guān)被稱為第一功率開關(guān)，
13、第一功率開關(guān)為mos晶體管mn_p，所述mos晶體管mn_p的一個導(dǎo)通連接端與所述外接負(fù)電源端相連，所述mos晶體管mn_p的柵極作為控制端與所述控制組件的一個輸出端相連，所述mos晶體管mn_p的另一個導(dǎo)通連接端與節(jié)點sw相連，所述mos晶體管mn_p的襯底與所述內(nèi)置負(fù)電源端相連，
14、第二功率開關(guān)為mos晶體管mp_p，所述mos晶體管mp_p的一個導(dǎo)通連接端與所述正電源端相連，所述mos晶體管mp_p的柵極作為控制端與所述控制組件的另一個控制輸出端相連，所述mos晶體管mp_p的另一個導(dǎo)通連接端與節(jié)點sw相連，所述mos晶體管mn_p的襯底與所述正電源端相連，
15、所述節(jié)點sw與電感相連。
16、在一個實施例中，所述控制組件通過控制第一功率開關(guān)和第二功率開關(guān)交替導(dǎo)通，從而將輸入電壓轉(zhuǎn)換成輸出電壓。
17、在一個實施例中，所述mos晶體管mn_p的另一個導(dǎo)通連接端與負(fù)電源輸出端p-相連，
18、其還包括：襯底選擇電路，其一個輸入端與所述負(fù)電源輸出端p-相連，另一個輸入端與所述內(nèi)置負(fù)電源端或所述外接負(fù)電源端相連，其輸出端與所述mos晶體管mn_p的襯底相連，所述襯底選擇電路選擇兩個輸入端中較低的電位并提供給所述mos晶體管mn_p的襯底。
19、在一個實施例中，所述負(fù)電源輸出端p-連接至所述控制組件的輸入端，所述控制組件通過控制所述功率開關(guān)的導(dǎo)通或斷開，以實現(xiàn)充放電保護(hù)。
20、在一個實施例中，所述襯底選擇電路包括：
21、mos晶體管mn_a和mos晶體管mn_b；
22、所述mos晶體管mn_a的一個導(dǎo)通連接端作為所述襯底選擇電路的一個輸入端與所述負(fù)電源輸出端p-相連，所述mos晶體管mn_a的另一個導(dǎo)通連接端與所述mos晶體管mn_p的襯底相連，所述mos晶體管mn_a的柵極與所述內(nèi)置負(fù)電源端或所述外接負(fù)電源端相連；
23、所述mos晶體管mn_b的一個導(dǎo)通連接端作為所述襯底選擇電路的另一個輸入端與所述內(nèi)置負(fù)電源端或所述外接負(fù)電源端相連，所述mos晶體管mn_b的另一個導(dǎo)通連接端與所述mos晶體管mn_a的另一個導(dǎo)通連接端以及所述mos晶體管mn_p的襯底相連，所述mos晶體管mn_a的柵極與所述負(fù)電源輸出端p-相連。
24、在一個實施例中，其還包括電容器c1；
25、所述電容器c1的一端與所述正電源端相連，所述電容器c1的另一端與所述內(nèi)置負(fù)電源端相連。
26、在一個實施例中，其還包括電阻器r1，所述正電源端通過所述電阻器r1與所述電芯的正極相連。
27、第二方面，本發(fā)明實施例還提供一種防反接電源芯片的保護(hù)電路，包括如第一方面所述的防反接電源芯片，以及可拆裝的電芯；
28、當(dāng)所述電芯安裝于所述保護(hù)電路中，且所述電芯的正極與所述防反接電源芯片的正電源端相連，所述電芯的負(fù)極與所述防反接電源芯片的外接負(fù)電源端相連時，所述電芯與所述防反接電源芯片正接，所述防反接保護(hù)開關(guān)導(dǎo)通；
29、當(dāng)所述電芯安裝于所述保護(hù)電路中，且所述電芯的負(fù)極與所述防反接電源芯片的正電源端相連，所述電芯的正極與所述防反接電源芯片的外接負(fù)電源端相連時，則所述電芯與所述防反接電源芯片反接，所述防反接保護(hù)開關(guān)斷開。
30、在本發(fā)明中，設(shè)置防反接保護(hù)開關(guān)連接于所述外接負(fù)電源端和所述內(nèi)置負(fù)電源端之間，并設(shè)置防反接保護(hù)開關(guān)的控制端與正電源端相連，以利用其控制端檢測用于與電芯的正極相連的正電源端的電位，進(jìn)而確定電芯與所述防反接電源芯片是否反接，并在反接時斷開，以實現(xiàn)外接負(fù)電源端和內(nèi)置負(fù)電源端之間的電位隔離，避免在電芯與所述防反接電源芯片反接時，防反接電源芯片內(nèi)部出現(xiàn)大電流通路，進(jìn)而規(guī)避因大電流通路造成的燒毀問題，保障防反接電源芯片的使用安全。
1.一種防反接電源芯片，其特征在于，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防反接電源芯片，其特征在于，所述防反接保護(hù)開關(guān)為mos晶體管mn1，所述mos晶體管mn1的一個導(dǎo)通連接端與所述內(nèi)置負(fù)電源端相連，mos晶體管mn1的另一個導(dǎo)通連接端與所述外接負(fù)電源端相連，所述mos晶體管mn1的柵極作為所述防反接保護(hù)開關(guān)的控制端與所述正電源端相連，所述mos晶體管mn1的襯底與所述內(nèi)置負(fù)電源端相連；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防反接電源芯片，其特征在于，其還包括：第二功率開關(guān)，其中所述一個功率開關(guān)被稱為第一功率開關(guān)，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防反接電源芯片，其特征在于，所述控制組件通過控制第一功率開關(guān)和第二功率開關(guān)交替導(dǎo)通，從而將輸入電壓轉(zhuǎn)換成輸出電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防反接電源芯片，其特征在于，所述mos晶體管mn_p的另一個導(dǎo)通連接端與負(fù)電源輸出端p-相連，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防反接電源芯片，其特征在于，所述負(fù)電源輸出端p-連接至所述控制組件的輸入端，
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防反接電源芯片，其特征在于，所述襯底選擇電路包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防反接電源芯片，其特征在于，其還包括電容器c1；
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防反接電源芯片，其特征在于，其還包括電阻器r1，所述正電源端通過所述電阻器r1與所述電芯的正極相連。
10.一種防反接電源芯片的保護(hù)電路，其特征在于，其包括如權(quán)利要求1-9中任一項所述的防反接電源芯片，以及可拆裝的電芯；