實施例涉及電路板和包括該電路板的半導體封裝。

背景技術(shù)：

1、隨著電氣/電子產(chǎn)品的性能持續(xù)改進，正在提出和研究用于將更大數(shù)量的封裝附接到有限尺寸的電路板的技術(shù)。

2、典型的半導體封裝具有其中設置多芯片的結(jié)構(gòu)。此外，最近，由于應用了半導體封裝的產(chǎn)品的高規(guī)格以及諸如hbm（高帶寬存儲器，high?bandwidth?memory）的多芯片的采用，半導體封裝的尺寸正在增加。因此，半導體封裝包括用于連接多個芯片的中介層（interposer）。

3、此外，根據(jù)高度集成的趨勢，應用于提供物聯(lián)網(wǎng)（iot：internet?of?things）、自動駕駛車輛和高性能服務器的產(chǎn)品的半導體封裝需要高性能和高可靠性。這里，高性能可以包括諸如信號的高速傳輸、半導體封裝的集成和可傳輸信號的高允許電流等條件。

4、此時，為了小型化和集成，半導體封裝中的焊盤的尺寸正在減小。焊盤可以是連接到芯片的安裝焊盤，或者連接到各種基板的凸塊焊盤。這里，各種基板可以包括附加封裝，諸如存儲器基板、連接在芯片與電路板之間的中介層、以及應用半導體封裝的電子裝置的主板。

5、這種電路板被設置為具有多層結(jié)構(gòu)。多層電路板包括諸如覆銅層疊板（ccl）的絕緣層和設置在貫穿絕緣層的通孔中的貫通電極。

6、然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的貫通電極具有僅貫穿至少一個特定絕緣層的結(jié)構(gòu)，并且因此在貫通電極之間設置在厚度方向上彼此間隔開的至少一個焊盤。因此，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的電路板中，信號傳輸距離可能由于設置在貫通電極上的焊盤而增加，并且信號傳輸損耗可能隨著信號傳輸距離的增加而增加。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、本實施例提供了一種具有新穎結(jié)構(gòu)的電路板和包括該電路板的半導體封裝。

3、此外，本實施例提供了一種包括共同貫穿多個絕緣層的貫通電極的電路板和包括該電路板的半導體封裝。

4、此外，實施例提供了一種其中多個貫通電極根據(jù)貫通電極的功能具有不同的貫通結(jié)構(gòu)的電路板和包括該電路板的半導體封裝。

5、此外，本實施例提供了一種具有其中穿過多個絕緣層的貫通電極的側(cè)表面不直接連接到其他焊盤的結(jié)構(gòu)的電路板和包括該電路板的半導體封裝。

6、所提出的實施例解決的技術(shù)問題不限于上述技術(shù)問題，并且本領域技術(shù)人員可以清楚地理解沒有提及的其他技術(shù)問題，從以下描述中提出的實施例屬于這些技術(shù)問題。

7、技術(shù)方案

8、根據(jù)實施例的一種電路板包括：第一絕緣層；設置在第一絕緣層上的第二絕緣層；設置在第一絕緣層下方的第三絕緣層；以及電極部，其包括貫穿第一至第三絕緣層中的至少一個的貫通電極，其中電極部包括：第一電極部，其包括設置在第一絕緣層的上表面上的第1-1焊盤電極、設置在第一絕緣層的下表面上的第1-2焊盤電極、以及貫穿第一絕緣層并且連接到第1-1和第1-2焊盤電極的第一貫通電極；以及第二電極部，包括設置在第二絕緣層的上表面上的第2-1焊盤電極、設置在第三絕緣層的下表面上的第2-2焊盤電極、以及共同貫穿第一至第三絕緣層并且連接到第2-1和第2-2焊盤電極的第二貫通電極；其中電極部包括與第二電極部的第二貫通電極水平重疊的第一電極圖案，并且其中第二貫通電極與第一電極圖案水平間隔開。

9、此外，第一絕緣層包括具有玻璃纖維的第一絕緣材料，并且其中第二和第三絕緣層包括不具有玻璃纖維的第二絕緣材料。

10、此外，第一貫通電極包括：第一傾斜，其與第一絕緣層的上表面相鄰并且寬度朝向第一絕緣層的下表面減?。灰约暗诙A斜，其與第一絕緣層的下表面相鄰并且寬度朝向第一絕緣層的上表面減小。

11、此外，第二貫通電極包括：第三傾斜，其與第二絕緣層的上表面相鄰并且寬度朝向第三絕緣層的下表面減?。灰约暗谒膬A斜，其與第三絕緣層的下表面相鄰并且寬度朝向第二絕緣層的上表面減小。

12、此外，具有第三和第四傾斜的第二貫通電極的側(cè)表面不連接到第一電極圖案并且被第一絕緣層到第三絕緣層完全覆蓋。

13、此外，第二貫通電極包括其中斜率在第三傾斜與第四傾斜之間變化的部分，并且其中，所述其中斜率變化的部分位于第一絕緣層的上表面與第一絕緣層的下表面之間。

14、此外，電極部包括：第三電極部，其包括設置在第一絕緣層的下表面上的第3-1焊盤電極、設置在第二絕緣層的上表面上的第3-2焊盤電極、以及共同貫穿第一和第二絕緣層并且連接到第3-1和第3-2焊盤電極的第三貫通電極。

15、此外，電極部包括與第三電極部的第三貫通電極水平重疊的第二電極圖案，并且其中第三貫通電極與第二電極圖案水平間隔開并且不直接連接到第二電極圖案。

16、此外，第三貫通電極具有第五傾斜，所述第五傾斜的寬度從第3-1焊盤電極朝向第3-2焊盤電極減小，其中第三貫通電極的第五傾斜的下端直接連接到第3-1焊盤電極，其中第三貫通電極的第五傾斜的上端直接連接到第3-2焊盤電極，并且其中具有第五傾斜的第三貫通電極的側(cè)表面被第一和第二絕緣層完全覆蓋。

17、此外，電極部包括：第四電極部，包括設置在第一絕緣層的下表面上的第4-1焊盤電極、設置在第二絕緣層的上表面上的第4-2焊盤電極、以及貫穿第二絕緣層并且連接到第4-1和第4-2焊盤電極的第四貫通電極。

18、同時，根據(jù)另一實施例的電路板包括：第一絕緣層；設置在第一絕緣層上的第二絕緣層；設置在第一絕緣層下方的第三絕緣層；以及電極部，其包括貫穿第一至第三絕緣層中的至少一個的貫通電極，其中電極部包括第一電極部和第二電極部，第一電極部包括設置在第一絕緣層的上表面上的第1-1焊盤電極、設置在第一絕緣層的下表面上的第1-2焊盤電極、以及貫穿第一絕緣層并且連接到第1-1和第1-2焊盤電極的第一貫通電極，第二電極部包括設置在第二絕緣層的上表面上的第2-1焊盤電極、設置在第三絕緣層的下表面上的第2-2焊盤電極、以及共同貫穿第一至第三絕緣層并且連接到第2-1和第2-2焊盤電極的第二貫通電極；其中電極部包括與第二電極部的第二貫通電極水平重疊的第一電極圖案，并且第二貫通電極在水平方向上與第一電極圖案間隔開。

19、此外，第一絕緣層包括具有玻璃纖維的第一絕緣材料，并且第二和第三絕緣層包括不具有玻璃纖維的第二絕緣材料。

20、此外，第一貫通電極包括第一傾斜，其與第一絕緣層的上表面相鄰并且寬度朝向第一絕緣層的下表面減??；以及第二傾斜，其與第一絕緣層的下表面相鄰并且寬度朝向第一絕緣層的上表面減小。

21、此外，第二貫通電極包括第三傾斜，其與第二絕緣層的上表面相鄰并且寬度朝向第三絕緣層的下表面減小；以及第四傾斜，其與第三絕緣層的下表面相鄰并且寬度朝向第二絕緣層的上表面減小。

22、此外，具有第三和第四傾斜的第二貫通電極的側(cè)表面不連接到第一電極圖案并且被第一絕緣層到第三絕緣層完全覆蓋。

23、此外，第二貫通電極包括其中傾斜在第三和第四傾斜之間變化的拐點，并且拐點位于第一絕緣層的上表面與第一絕緣層的下表面之間。

24、此外，電極部包括第三電極部，其包括設置在第一絕緣層的下表面上的第3-1焊盤電極、設置在第二絕緣層的上表面上的第3-2焊盤電極、以及共同貫穿第一和第二絕緣層并且連接到第3-1和第3-2焊盤電極的第三貫通電極。

25、此外，電極部包括與第三電極部的第三貫通電極水平重疊的第二電極圖案，并且第三貫通電極不直接連接到第二電極圖案。

26、此外，第三貫通電極具有第五傾斜，所述第五傾斜的寬度從第3-1焊盤電極朝向第3-2焊盤電極減小，并且第三貫通電極的第五傾斜的下端直接連接到第3-1焊盤電極，第三貫通電極的第五傾斜的上端直接連接到第3-2焊盤電極，并且具有第五傾斜的第三貫通電極的側(cè)表面被第一和第二絕緣層完全覆蓋。

27、此外，電極部包括第四電極部，其包括設置在第一絕緣層的下表面上的第4-1焊盤電極、設置在第二絕緣層的上表面上的第4-2焊盤電極、以及貫穿第二絕緣層并且連接到第4-1和第4-2焊盤電極的第四貫通電極。

28、此外，電極部包括第五電極部，第五電極部包括設置在第一絕緣層的上表面上的第5-1焊盤電極、設置在第三絕緣層的下表面上的第5-2焊盤電極、以及共同貫穿第一和第三絕緣層并且連接到第5-1和第5-2焊盤電極的第五貫通電極。

29、此外，電極部包括與第五電極部的第五貫通電極水平重疊的第三電極圖案，并且第五貫通電極不直接連接到第三電極圖案。

30、此外，第五貫通電極具有第七傾斜，第七傾斜的寬度從第5-1焊盤電極朝向第5-2焊盤電極增加，并且第五貫通電極的第七傾斜的上端直接連接到第5-1焊盤電極，第五貫通電極的第七傾斜的下端直接連接到第5-2焊盤電極，并且第五貫通電極的具有第七傾斜的側(cè)表面被第一和第三絕緣層完全覆蓋。

31、此外，電極部包括第六電極部，第六電極部包括設置在第一絕緣層的下表面上的第6-1焊盤電極、設置在第三絕緣層的下表面上的第6-2焊盤電極、以及貫穿第三絕緣層并且連接到第6-1和第6-2焊盤電極的第六貫通電極。

32、此外，第二貫通電極包括共同貫穿第一至第三絕緣層的第2-1貫通電極、以及共同貫穿第一至第三絕緣層并且與第2-1貫通電極水平間隔開的第2-2貫通電極，其中第2-1和第2-2貫通電極的每個上表面共同連接到第2-1焊盤電極，并且第2-1和第2-2貫通電極的每個下表面共同連接到第2-2焊盤電極。

33、同時，根據(jù)實施例的半導體封裝包括：第一絕緣層；設置在第一絕緣層上的第二絕緣層；設置在第一絕緣層下方的第三絕緣層；電極部，其包括貫穿第一至第三絕緣層中的至少一個的貫通電極；設置在電極部上的連接部；以及設置在連接部上的連接構(gòu)件，其中電極部包括第一電極部，其包括設置在第一絕緣層的上表面上的第1-1焊盤電極、設置在第一絕緣層的下表面上的第1-2焊盤電極、以及貫穿第一絕緣層并且連接到第1-1和第1-2焊盤電極的第一貫通電極；第二電極部，其包括設置在第二絕緣層的上表面上的第2-1焊盤電極、設置在第三絕緣層的下表面上的第2-2焊盤電極、以及共同貫穿第一至第三絕緣層并且連接到第2-1和第2-2焊盤電極的第二貫通電極；第三電極部，其包括設置在第一絕緣層的下表面上的第3-1焊盤電極、設置在第二絕緣層的上表面上的第3-2焊盤電極、以及共同貫穿第一和第二絕緣層并且連接到第3-1和第3-2焊盤電極的第三貫通電極；以及第四電極部，其包括設置在第一絕緣層的上表面上的第4-1焊盤電極、設置在第三絕緣層的下表面上的第4-2焊盤電極、以及共同貫穿第一和第三絕緣層并且連接到第4-1和第4-2焊盤電極的第四貫通電極；其中電極部包括與第二電極部的第二貫通電極水平重疊的第一電極圖案，并且第二貫通電極不直接連接到第一電極圖案。

34、此外，連接構(gòu)件包括封裝基板、中介層、半導體器件、硅橋基板和有機橋基板中的至少一種。

35、有益效果

36、本實施例的電路板可以包括第一至第三絕緣層。此外，電路板可以包括僅貫穿第一絕緣層的第一貫通電極和共同貫穿第一至第三絕緣層的第二貫通電極。第一貫通電極的側(cè)表面可以包括具有不同斜率的第一傾斜和第二傾斜。此外，第二貫通電極的側(cè)表面可以包括具有不同斜率的第三和第四傾斜。具有第三和第四傾斜的第二貫通電極的側(cè)表面可以不直接連接到其他焊盤電極或跡線。由此，實施例可以最小化通過第二貫通電極傳輸?shù)男盘柕膫鬏斁嚯x，并且因此最小化通過第二貫通電極傳輸?shù)男盘柕男盘杺鬏敁p耗。

37、例如，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，在第一絕緣層與第二絕緣層之間設置焊盤電極，因此第二貫通電極具有其中第二貫通電極直接連接到設置在第一絕緣層與第二絕緣層之間的焊盤電極的結(jié)構(gòu)。因此，現(xiàn)有技術(shù)中通過第二貫通電極傳輸?shù)男盘柨梢匝刂O置在第一絕緣層與第二絕緣層之間的焊盤電極傳輸。例如，當傳輸高頻帶的信號時，信號可沿著電極部的表面流動。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，信號沿著設置在第一絕緣層與第二絕緣層之間的焊盤電極流動，因此信號的傳輸距離可能增加。此外，隨著信號距離增加，信號傳輸損耗也增加。

38、相反，本實施例可以具有設置在第2-1和第2-2焊盤電極之間并且貫穿多個絕緣層的第二貫通電極。除了第2-1和第2-2焊盤電極之外，第二貫通電極可以不直接連接到其他焊盤電極。例如，電路板可以具有與第二貫通電極的側(cè)表面水平重疊的焊盤電極和跡線，并且與第二貫通電極的側(cè)表面水平重疊的焊盤電極和跡線可以不直接連接到第二貫通電極的側(cè)表面。因此，實施例可以減小流過第二貫通電極的信號的傳輸距離，并且可以相應地最小化信號傳輸損耗。因此，本實施例可以改善電路板和包括該電路板的半導體封裝的通信特性，并且還可以使設置在半導體封裝中的半導體器件能夠穩(wěn)定地操作。

39、同時，第二貫通電極可以包括水平間隔開的第2-1貫通電極和第2-2貫通電極。第2-1貫通電極和第2-2貫通電極中的每一個可以共同連接到第2-1和第2-2焊盤電極。第2-1貫通電極和第2-2貫通電極可以具有散熱功能。此外，具有散熱功能的多個貫通電極可以被提供并且在水平方向上彼此間隔開，并且多個貫通電極可以連接到公共焊盤電極。通過此，本實施例可以改進電路板和包括該電路板的半導體封裝的散熱特性，從而使半導體器件能夠穩(wěn)定地操作。