本發(fā)明屬于電子封裝材料，尤其涉及一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料及其制備方法。
背景技術(shù)：
1、在電子封裝材料領(lǐng)域，amb（活性金屬釬焊）陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性和可靠性，廣泛應(yīng)用于高功率器件封裝、新能源汽車電控模塊等領(lǐng)域。傳統(tǒng)工藝多采用cu-ag-ti系釬料，需在700-900℃高溫下焊接，雖能形成穩(wěn)定界面，但高溫易導(dǎo)致陶瓷基板熱應(yīng)力開裂，成品率不足70%。
2、近年來，為適應(yīng)薄壁器件（如igbt散熱片）及熱敏感材料（如有機(jī)基板）的需求，低溫焊料（如sn-bi合金、納米銀漿）逐漸發(fā)展，但其導(dǎo)熱率低（＜50w/m·k）、成本高昂（＞2000元/kg）等問題限制了大規(guī)模應(yīng)用。
3、現(xiàn)有低溫銅基漿料仍需300℃以上高溫，無法徹底避免陶瓷基板熱損傷；且溶劑殘留量＞0.5wt%，導(dǎo)致釬焊界面孔隙率升高（如5.2-8.7%）；批式反應(yīng)工藝制備的納米銅粉粒徑分布寬（d90＞200nm），易團(tuán)聚，漿料分散性差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于提供一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料及其制備方法，旨在解決背景技術(shù)中存在的問題。
2、本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料，所述amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料包括：
3、核殼結(jié)構(gòu)納米銅合金粉50-65%，所述核殼結(jié)構(gòu)納米銅合金粉選自納米ti、zr、氫化ti/zr中的至少一種，外殼為銅層，銅層厚度5-15nm，粒徑50-200nm；
4、活性金屬（ti/zr）內(nèi)核表面包覆納米銅層（厚度5-15nm），實(shí)現(xiàn)低溫（200-250℃）擴(kuò)散焊接，同時(shí)界面形成cu-ti/zr合金層，耐溫＞1000℃；
5、分散劑1.5-4%，所述分散劑為聚乙烯吡咯烷酮與十二胺按質(zhì)量比1:0.5-2復(fù)配；
6、還原劑0.5-3%，所述還原劑抗壞血酸和水合肼，濃度0.1-0.5mol/l；
7、溶劑余量，為乙酸乙酯與松油醇按體積比1:1-3混合的低溫分解溶劑，沸點(diǎn)≤180℃。
8、本發(fā)明提供的一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料及其制備方法，具有以下有益效果：
9、顯著降低焊接溫度：通過核殼結(jié)構(gòu)納米銅合金粉（銅層厚度5-15nm）與低溫溶劑體系的協(xié)同作用，焊接溫度降至200-250℃，規(guī)避了傳統(tǒng)高溫工藝導(dǎo)致的陶瓷熱損傷問題。
10、提升界面強(qiáng)度與可靠性：釬焊界面形成cu-ti/zr合金層，界面剪切強(qiáng)度達(dá)56.3mpa（優(yōu)于傳統(tǒng)ag-cu-ti釬料的48mpa），且耐1000次熱循環(huán)（電阻變化率＜3%）。
11、優(yōu)化溶劑殘留與界面致密性：乙酸乙酯/松油醇復(fù)配溶劑體系分解溫度≤180℃，殘留量＜0.1wt%，界面孔隙率≤1.5%，顯著優(yōu)于醇醚類溶劑（孔隙率5.2-8.7%）。
12、降低材料成本：核殼銅粉替代貴金屬銀，材料成本僅為低溫銀漿的1/3，同時(shí)導(dǎo)熱率提升至320w/m·k（sn-bi焊料僅45w/m·k）。
13、粉體均勻性與工藝穩(wěn)定性：微反應(yīng)器連續(xù)合成工藝（流速20-80ml/min，ph動(dòng)態(tài)控制8.0-10.0）實(shí)現(xiàn)單分散納米銅合金粉（d90≤200nm），粒徑分布窄，漿料粘度穩(wěn)定（800-1500cp）。
1.一種amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料，其特征在于，所述amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料，其特征在于，所述核殼結(jié)構(gòu)納米銅合金粉中，活性金屬與銅的摩爾比為1:0.2-0.8。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料，其特征在于，所述溶劑的殘留量＜0.1wt%，界面孔隙率≤1.5%。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料的制備方法，其特征在于，所述微反應(yīng)器為t型反應(yīng)器，通道直徑0.5-1.0mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料的制備方法，其特征在于，所述球磨工藝參數(shù)為球料比3:1-5:1，轉(zhuǎn)速200-400rpm，混合時(shí)間1-3小時(shí)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的amb陶瓷基板用低溫銅基活性漿料的制備方法，其特征在于，所述還原劑為抗壞血酸，濃度0.3-0.5mol/l。