本發(fā)明涉及半導體設備，尤其涉及一種改善氣體均勻性的噴淋機構及其薄膜沉積設備。

背景技術：

1、在半導體工藝設備中，特別是薄膜沉積設備中，噴淋板是實現(xiàn)薄膜均勻性、高精度的核心部件。在現(xiàn)有技術中，噴淋板一般采用上層噴淋板和下層噴淋板的組合結構，將兩種不同氣體分為兩路按照一定比例從噴淋板的底部輸出，在噴淋板的底部下方空間進行均勻混合，最后沉積于晶圓表面。但是，現(xiàn)有的兩層噴淋板結構存在以下缺陷：雙層噴淋板結構導致氣體流動路徑復雜，造成氣體相互干擾，影響氣體均勻性；若兩層噴淋板上對位孔洞排列匹配不合適會造成局部壓力差異，也會影響氣體均勻性，最終影響薄膜沉積質量。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種改善氣體均勻性的噴淋機構及其薄膜沉積設備，以解決現(xiàn)有雙層噴淋板導致氣體混合不均勻導致薄膜沉積質量差的技術問題。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

3、第一方面，本發(fā)明的實施例提供了一種改善氣體均勻性的噴淋機構，其包括：噴淋上板和噴淋下板，所述噴淋上板連接于所述噴淋下板，且所述噴淋上板和所述噴淋下板內設有連通的第一氣體噴淋通道和第二氣體噴淋通道；

4、其中，所述噴淋上板和所述噴淋下板之間圍合成有第一氣體混合腔和第二氣體混合腔，所述第一氣體噴淋通道連通于所述第一氣體混合腔，所述第二氣體噴淋通道連通于所述第二氣體混合腔。

5、其中，所述第一氣體噴淋通道和所述第二氣體噴淋通道的進氣端延伸至所述噴淋上板的頂面，所述第一氣體噴淋通道和所述第二氣體噴淋通道的出氣端延伸至所述噴淋下板的底面。

6、其中，所述噴淋上板的頂面還設有第一擋板，所述第一擋板與所述噴淋上板共同圍合成所述第一氣體混合腔，所述第一擋板上設有若干均勻分布的第一通孔。

7、其中，所述第一擋板與所述噴淋上板之間還設有第二擋板，所述第二擋板上設有若干均勻分布的第二通孔，所述第二擋板將所述第一氣體混合腔分割為上混合腔和下混合腔。

8、其中，所述第一擋板和所述第二擋板上對位設有至少一個穿孔，所述噴淋上板的頂面向上延伸設有與所述穿孔數(shù)量相同的導氣柱，所述導氣柱穿設于所述穿孔，且所述導氣柱內設有導氣通道。

9、其中，所述噴淋上板上設有若干均勻分布的第一導氣孔，所述噴淋下板上設有與所述第一導氣孔數(shù)量相同且位置對應的第二導氣孔，所述噴淋上板和所述噴淋下板之間還設有若干導氣桿，所述導氣桿的頂端密封抵接于所述第一導氣孔，所述導氣桿的底端密封抵接于所述第二導氣孔。

10、其中，所述導氣桿的頂端與第一導氣孔之間、所述導氣桿的底端與所述第二導氣孔之間均設有密封圈。

11、其中，所述噴淋上板與所述噴淋下板之間設有第三擋板，所述第三擋板上設有若干均勻分布的第三通孔。

12、其中，所述噴淋上板和所述噴淋下板之間共同圍合成所述第二氣體混合腔，所述第二氣體混合腔被所述第三擋板分割成上腔體和下腔體。

13、第二方面，本發(fā)明的實施例提供了一種薄膜沉積設備，所述薄膜沉積設備包括如上任意一項所述的改善氣體均勻性的噴淋機構。

14、本發(fā)明的改善氣體均勻性的噴淋機構，其通過噴淋上板和噴淋下板之間增加第一氣體混合腔和第二氣體混合腔，具體在噴淋上板頂部增設第一擋板，在二者之間增設第三擋板，對輸入的第一氣體和第二氣體進行緩沖混合均勻，最終以速度均勻和壓力均衡的方式從底部輸出，最終實現(xiàn)了兩種氣體的均勻混合，提高了薄膜沉積質量。

15、上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明技術手段，可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征及優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，詳細說明如下。

技術特征：

1.一種改善氣體均勻性的噴淋機構，其特征在于，包括：噴淋上板和噴淋下板，所述噴淋上板連接于所述噴淋下板，且所述噴淋上板和所述噴淋下板內設有連通的第一氣體噴淋通道和第二氣體噴淋通道；

2.根據(jù)權利要求1所述的改善氣體均勻性的噴淋機構，其特征在于，所述第一氣體噴淋通道和所述第二氣體噴淋通道的進氣端延伸至所述噴淋上板的頂面，所述第一氣體噴淋通道和所述第二氣體噴淋通道的出氣端延伸至所述噴淋下板的底面。

3.根據(jù)權利要求2所述的改善氣體均勻性的噴淋機構，其特征在于，所述噴淋上板的頂面還設有第一擋板，所述第一擋板與所述噴淋上板共同圍合成所述第一氣體混合腔，所述第一擋板上設有若干均勻分布的第一通孔。

4.根據(jù)權利要求3所述的改善氣體均勻性的噴淋機構，其特征在于，所述第一擋板與所述噴淋上板之間還設有第二擋板，所述第二擋板上設有若干均勻分布的第二通孔，所述第二擋板將所述第一氣體混合腔分割為上混合腔和下混合腔。

5.根據(jù)權利要求4所述的改善氣體均勻性的噴淋機構，其特征在于，所述第一擋板和所述第二擋板上對位設有至少一個穿孔，所述噴淋上板的頂面向上延伸設有與所述穿孔數(shù)量相同的導氣柱，所述導氣柱穿設于所述穿孔，且所述導氣柱內設有導氣通道，所述導氣通道延伸至所述噴淋上板的底部。

6.根據(jù)權利要求3所述的改善氣體均勻性的噴淋機構，其特征在于，所述噴淋上板上設有若干均勻分布的第一導氣孔，所述噴淋下板上設有與所述第一導氣孔數(shù)量相同且位置對應的第二導氣孔，所述噴淋上板和所述噴淋下板之間還設有若干導氣桿，所述導氣桿的頂端密封抵接于所述第一導氣孔，所述導氣桿的底端密封抵接于所述第二導氣孔。

7.根據(jù)權利要求6所述的改善氣體均勻性的噴淋機構，其特征在于，所述導氣桿的頂端與第一導氣孔之間、所述導氣桿的底端與所述第二導氣孔之間均設有密封圈。

8.根據(jù)權利要求1至7任意一項所述的改善氣體均勻性的噴淋機構，其特征在于，所述噴淋上板與所述噴淋下板之間設有第三擋板，所述第三擋板上設有若干均勻分布的第三通孔。

9.根據(jù)權利要求8所述的改善氣體均勻性的噴淋機構，其特征在于，所述噴淋上板和所述噴淋下板之間共同圍合成所述第二氣體混合腔，所述第二氣體混合腔被所述第三擋板分割成上腔體和下腔體。

10.一種薄膜沉積設備，其特征在于，所述薄膜沉積設備包括如權利要求1至9任意一項所述的改善氣體均勻性的噴淋機構。

技術總結
本發(fā)明公開了一種改善氣體均勻性的噴淋機構及其薄膜沉積設備，噴淋機構包括：噴淋上板和噴淋下板，噴淋上板連接于噴淋下板，且噴淋上板和噴淋下板內設有連通的第一氣體噴淋通道和第二氣體噴淋通道；噴淋上板和噴淋下板之間圍合成有第一氣體混合腔和第二氣體混合腔，第一氣體噴淋通道連通于第一氣體混合腔，第二氣體噴淋通道連通于第二氣體混合腔。其通過在噴淋上板和噴淋下板之間增加第一氣體混合腔和第二氣體混合腔，具體在噴淋上板頂部增設第一擋板，在二者之間增設第三擋板，對輸入的第一氣體和第二氣體進行緩沖混合均勻，最終以速度均勻和壓力均衡的方式從底部輸出，最終實現(xiàn)了兩種氣體的均勻混合，提高了薄膜沉積質量。

技術研發(fā)人員：方成
受保護的技術使用者：拓荊科技（上海）有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/8/28