本技術(shù)涉及半導(dǎo)體處理設(shè)備。更具體地，本技術(shù)涉及半導(dǎo)體腔室部件及基板處理方法。本申請案請求2022年12月6日提交的標(biāo)題為“thermal?choke?plate”的美國專利申請案第18/076,234號的權(quán)益及優(yōu)先權(quán)，此申請案的全部內(nèi)容通過引用方式并入本文中。
背景技術(shù)：
1、在基板處理期間跨基板的溫度不均勻性可導(dǎo)致不均勻且不一致的基板。當(dāng)與支撐基板的基座相對的面板沿著其面經(jīng)歷升華時，可能出現(xiàn)此種不均勻性。此升華可導(dǎo)致在處理期間跨基板的溫度不均勻性。為了避免此升華，確保在基板處理期間正確地凈化面板將是有益的。然而，通過傳統(tǒng)基板處理系統(tǒng)設(shè)計來凈化面板所需的流動速率不足以防止面板升華。
2、因此，優(yōu)化半導(dǎo)體處理設(shè)備以凈化大高度處的基板處理區(qū)域?qū)⑹怯幸娴摹?/p>
3、此外，半導(dǎo)體基板內(nèi)的污染物可能不利地影響基板的性能及質(zhì)量。因此，基板處理環(huán)境涉及最小化在處理期間污染物進(jìn)入基板的風(fēng)險，該等污染物可能由半導(dǎo)體處理設(shè)備本身的部件產(chǎn)生。例如，不銹鋼部件可與凈化氣體(諸如，三氟化氮)反應(yīng)，以在腐蝕期間形成金屬污染物，該等金屬污染物可能在處理期間侵入基板。盡管可能將涂層給予此些不銹鋼部件以幫助保護(hù)不銹鋼材料免于與凈化氣體反應(yīng)，但在足夠高的溫度(例如，處理基板的溫度，諸如400℃)下，此種涂層可能剝落且使得不銹鋼材料暴露出來而氧化及腐蝕。此種熱量可通過增加暴露的不銹鋼部件的氧化及腐蝕的速率來額外加劇此問題，從而進(jìn)一步增加污染物進(jìn)入基板處理環(huán)境的風(fēng)險。
4、因此，最小化基板處理環(huán)境內(nèi)的不銹鋼部件與凈化氣體反應(yīng)以形成污染物的風(fēng)險將額外是有益的。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、一種在基板處理系統(tǒng)中使用的示例性阻熱板可包括板，其界定穿過板的第一孔及穿過板的第二孔。第二孔可與第一孔橫向偏移。板可包括界定凈化入口的凸緣。板可包括界定多個凈化出口的邊緣，該等凈化出口與凈化入口流體耦接。多個凈化出口中的每一者可與第一孔流體耦接。
2、在一些實施方式中，凈化入口可沿著凸緣的頂表面界定。凈化入口可沿著凸緣的底表面界定。邊緣可至少部分界定第一氣室、第二氣室、及在第一及第二氣室之間延伸且流體耦接第一及第二氣室的至少一個擋板。第一及第二氣室以及擋板可與凈化入口及多個凈化出口流體連通。至少一個擋板可包括多個擋板。多個擋板可包括第一擋板及第二擋板。第一擋板可具有與第二擋板不同的橫截面積。第一擋板可比第二擋板更靠近凈化入口。第一擋板可具有比第二擋板更小的橫截面積。阻熱板可包括封閉板。封閉板可接合至邊緣以界定第一及第二氣室以及其間的擋板。
3、本技術(shù)的一些實施方式可涵蓋基板處理系統(tǒng)。系統(tǒng)可包括界定移送區(qū)域的腔室主體。系統(tǒng)可包括安置在移送區(qū)域內(nèi)的基板支撐件。系統(tǒng)可包括位于腔室主體上的蓋板。蓋板可界定穿過蓋板的孔。系統(tǒng)可包括沿著阻熱板的第一表面位于蓋板上的阻熱板。阻熱板可界定穿過板的第一孔及穿過板的第二孔。第二孔可與第一孔橫向偏移。阻熱板可包括界定凈化入口的凸緣。阻熱板可包括界定與凈化入口流體耦接的多個凈化出口的邊緣。多個凈化出口中的每一者可與第一孔流體耦接。系統(tǒng)可包括位于阻熱板上的泵送內(nèi)襯。系統(tǒng)可包括位于泵送內(nèi)襯上的面板。
4、在一些實施方式中，腔室主體可界定與凈化入口連通以形成處理凈化流動路徑的一部分的通道。系統(tǒng)可包括與基板支撐件的底側(cè)耦接的波紋管。波紋管可包括其上安置有rf墊圈的凸緣，該rf墊圈沿著垂直軸與阻熱板的邊緣對準(zhǔn)。基板支撐件可在移送位置與處理位置之間在移送區(qū)域內(nèi)可垂直平移。在處理位置中，波紋管可膨脹且rf墊圈可接觸阻熱板的邊緣以閉合rf返回路徑。在移送位置中，波紋管可收縮且rf墊圈可與阻熱板的邊緣垂直地間隔開。阻熱板的邊緣可具有在約70mm與100mm之間的長度。
5、本技術(shù)的一些實施方式可涵蓋基板處理系統(tǒng)，該等基板處理系統(tǒng)可包括界定移送區(qū)域的腔室主體。系統(tǒng)可包括安置在移送區(qū)域內(nèi)的基板支撐件?；逯渭砂ń拥匕濉；逯渭砂ㄎ挥诮拥匕屙斏系牡谝桓綦x器?；逯渭砂ㄎ挥诘谝桓綦x器頂上的第二隔離器。
6、頂部隔離器可界定自第一隔離器的表面延伸的第一組凹坑，且第二隔離器可界定自第二隔離器的表面延伸的第二組凹坑。第一組凹坑及第二組凹坑中的每一者的高度可能是相等的。第一組凹坑中的每一者的高度可與第二組凹坑的高度不同。第一隔離器的表面可為頂表面且第一組凹坑可自頂表面延伸。第二隔離器的表面可為底表面且第二組凹坑可自底表面延伸。第一隔離器可界定自第一隔離器的底表面延伸的第三組凹坑。系統(tǒng)可包括位于第一隔離器的至少一部分上的外部隔離器。頂部隔離器可界定楔形部。外部隔離器可包括位于楔形部頂上的凸緣。
1.一種在基板處理系統(tǒng)中使用的阻熱板，所述阻熱板包含：
2.如權(quán)利要求1所述的阻熱板，其中所述凈化入口是沿著所述凸緣的頂表面界定。
3.如權(quán)利要求1所述的阻熱板，其中所述凈化入口是沿著所述凸緣的底表面界定。
4.如權(quán)利要求1所述的阻熱板，其中：
5.如權(quán)利要求4所述的阻熱板，其中：
6.如權(quán)利要求5所述的阻熱板，其中：
7.如權(quán)利要求4所述的阻熱板，其中所述阻熱板包含封閉板，所述封閉板接合至所述邊緣以界定所述第一及第二氣室以及其間的所述擋板。
8.一種基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)包含：
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理系統(tǒng)，其中：
10.如權(quán)利要求8所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進(jìn)一步包含與所述基板支撐件的底側(cè)耦接的波紋管，所述波紋管包含其上安置有rf墊圈的凸緣，所述rf墊圈沿著垂直軸與所述阻熱板的所述邊緣對準(zhǔn)。
11.如權(quán)利要求10所述的基板處理系統(tǒng)，其中：
12.如權(quán)利要求8所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述阻熱板的所述邊緣具有在約70mm與100mm之間的長度。
13.一種基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)包含：
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述頂部隔離器界定自所述第一隔離器的表面延伸的第一組凹坑，且所述第二隔離器界定自所述第二隔離器的表面延伸的第二組凹坑。
15.如權(quán)利要求14所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述第一組凹坑及所述第二組凹坑中的每一者的高度是相等的。
16.如權(quán)利要求14所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述第一組凹坑中的每一者的高度與所述第二組凹坑的高度不同。
17.如權(quán)利要求14所述的基板處理系統(tǒng)，其中：
18.如權(quán)利要求14所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述第一隔離器界定自所述第一隔離器的底表面延伸的第三組凹坑。
19.如權(quán)利要求14所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進(jìn)一步包含位于所述第一隔離器的至少一部分上的外部隔離器。
20.如權(quán)利要求19所述的基板處理系統(tǒng)，其中：